- HDTV.ru
- /
- Новости
- /
- Новости индустрии
- /
- Samsung разрабатывает 3D память
Samsung разрабатывает 3D память
Кликните на картинку для ее увеличения
Компания Samsung Electronics разработала новую трехмерную технологию для ячеек памяти, 3D ReRAM (резистивная память с произвольным доступом), суммарная емкость которых значительно больше, чем у NAND флэш-памяти.
Samsung занимается развитием 3D структурированной памяти ReRAM называемой также "вертикальный ReRAM (VRRAM)" в целях замены NAND памяти. Технология VRRAM позволяет укладывать ячейки памяти слоями и сократить расходы в сравнении с планарной технологией ReRAM. Samsung утверждает, что новый резистивный тип памяти обладает увеличенным ресурсом циклов перезаписи, в сравнении с флэш технологией, и пониженным до 1 микроампера током записи.
Дата публикации: 19.12.2012
Источник: HDTV.ru
При цитировании материалов сайта HDTV.ru частично или полностью, ссылка на первоисточник обязательна.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Комментарии
Оставлять комментарии возможно только через 10 дней после регистрации.