Samsung готовится к производству 14 нм FinFET чипов

Samsung готовится к производству 14 нм FinFET чипов


Компания Samsung объявила о достижении еще одного технологического рубежа, которым стала 14-нанометровая (нм) производственная технологии FinFET. 14-нанометровые размеры отдельных элементов полупроводниковых чипов позволят еще более повысить плотность упаковки отдельных транзисторов в составе чипов, а также снизить их энергопотребление и повысить быстродействие процессоров.

Samsung готовится к производству 14 нм FinFET чипов


Впервые предложенная Intel технология FinFET представляет отдельные транзисторы внутри микросхем уже не в плоском (планарном) виде, а в форме типа 3D конструкции, что тоже дает какие-то технологические преимущества. Хотя, недавно компания IBM заявила, что планарные транзисторы будут жить до освоения рубежа в 10 нм.

Несколько ранее о планах производства 14 нм FinFET чипов объявила тайваньская компания TSMC. Таким образом, эти компании по технологическим возможностям догоняют Intel, которая долгое время была практически единственным передовым локомотивом в процессе снижения размеров технологических норм в производстве полупроводниковых чипов.

Дата публикации: 26.12.2012

Источник: HDTV.ru
При цитировании материалов сайта HDTV.ru частично или полностью, ссылка на первоисточник обязательна.

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Похожие публикации

Комментарии

Оставлять комментарии возможно только через 10 дней после регистрации.

Сообщения

Комментарии
Форум

Голосование

Интерфейс для медиаплееров какого производителя вам кажется наиболее удобным?

Поиск

Рассылки Subscribe.Ru