- HDTV.ru
- /
- Новости
- /
- Новости индустрии
- /
- Toshiba совершенствует флэш-технологию
Toshiba совершенствует флэш-технологию
Изобретатель флэш-памяти — японская Toshiba продемонстрировала новейшие разработки на выставке Nano Tech 2013. Используя самый передовой процесс изготовления полупроводниковых элементов с минимальными размерами 19 нанометров (нм), компания изготовила 128 ГБ чипы NAND флэш-памяти. На стендах были выставлены 300 мм пластины-заготовки для нарезки чипов.
Еще одна новинка Toshiba – 3-х битная многоуровневая ячейка памяти. Эту технологию называют multiple-level cell (MLC).
Toshiba также уделяет особое внимание многослойной концепции микросхем (чипов) памяти. Так 128 ГБ модуль сделан в 16 слоев толщиной 30 мкм, с емкостью каждого слоя в 64 Гб.
Дата публикации: 08.02.2013
Источник: HDTV.ru
При цитировании материалов сайта HDTV.ru частично или полностью, ссылка на первоисточник обязательна.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Комментарии
Оставлять комментарии возможно только через 10 дней после регистрации.