Samsung начинает производство 3D NAND флэш-памяти

Samsung начинает производство 3D NAND флэш-памяти


Компания Samsung вслед за Toshiba заявила о намерении начать массовое производство чипов нового поколения флэш-памяти, называемой «вертикальной NAND» или 3D флэш-память, которая позволит резко увеличить емкости твердотельных накопителей, являющихся конкурентами вращающихся жестких дисков.
В Samsung V-NAND использована объемная структура ячейки памяти с 24 слоями. Компания сократила производственные затраты, используя свою собственную технику травления для пробивки отверстий с самого верхнего слоя на нижний.

По сравнению с 20 нм поколением NAND флэш-памяти с плавающим затвором, плотность V-NAND может быть увеличена более чем на 100%. Емкость микросхемы (чипа) для массового производства составляет 128 Гбит, но может быть увеличена до 1 Тбит и выше, утверждает Samsung.
Кроме того, по сравнению с 10 нм поколением прежней NAND флэш-памяти, надежность эксплуатации и скорости записи у V-NAND может быть выше на 100-900 % и 100 %, соответственно.

Дата публикации: 09.08.2013

Источник: HDTV.ru
При цитировании материалов сайта HDTV.ru частично или полностью, ссылка на первоисточник обязательна.

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Похожие публикации

Комментарии

Оставлять комментарии возможно только через 10 дней после регистрации.

Сообщения

Комментарии
Форум

Голосование

Интерфейс для медиаплееров какого производителя вам кажется наиболее удобным?

Поиск

Рассылки Subscribe.Ru