Компания Samsung сообщила о создании и утверждении первой микросхемы и модуля DRAM с применением 40-нм технологии. Новый компонент DDR2 емкостью 1 Гбит и соответствующий модуль SODIMM DDR2 емкостью 1 ГБ со скоростью работы 800 Мбит/с, созданные по 40-нм технологии, прошли сертификацию по программе проверки соответствия платформе Intel для применения с серией чипсетов Intel GM45 Express для мобильных устройств.

Применение 40-нм технологии позволит снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нм технологии, а это, по прогнозам компании Samsung, должно сократить энергопотребление примерно на 30%. Кроме того, более точное изготовление микросхем позволит увеличить производительность ориентировочна на 60% по сравнению с устройствами предыдущего поколения.

К концу 2009 г. Samsung планирует применять 40-нм технологию в массовом производстве 2-ГБ модулей DDR3. Похожие публикации

• Kingston выпускает память HyperX DDR3 с частотой 2 ГГц
• Intel оснастит новые процессы DRAM-памятью
• Samsung запускает в производство SSD-накопители 128 Гб
• Samsung начинает производство 3D NAND флэш-памяти
• Samsung осваивает новые технологии производства дисплеев