Samsung разрабатывает 3D память
19.12.2012
Кликните на картинку для ее увеличения
Компания Samsung Electronics разработала новую трехмерную технологию для ячеек памяти, 3D ReRAM (резистивная память с произвольным доступом), суммарная емкость которых значительно больше, чем у NAND флэш-памяти.
Samsung занимается развитием 3D структурированной памяти ReRAM называемой также "вертикальный ReRAM (VRRAM)" в целях замены NAND памяти. Технология VRRAM позволяет укладывать ячейки памяти слоями и сократить расходы в сравнении с планарной технологией ReRAM. Samsung утверждает, что новый резистивный тип памяти обладает увеличенным ресурсом циклов перезаписи, в сравнении с флэш технологией, и пониженным до 1 микроампера током записи.
Вернуться назад